N沟道增强型MOS管 1.为什么Uds增大到时Ugd=Ugs(th)时出现夹断点?是因为又产生电场抵消了原场(乱说的

大侠,图呢?好吧,没有图也没问题,所以的mosfet的图都差不多.1. 关于夹断.是因为Vdrain的电压增加,导致电子通道关闭(就是三角形的尖端).你的理解也可以.如图:2. 没错.Cox,就是以二氧化硅为介质的电容.3. JFET是depletion,耗尽型器件.pinoff现象对所有的FET都是一样的.通道的厚度可以参见图中阴影部分.你说的没错.

绝缘栅型场效应管N沟道增强型MOS管中,为什么Vds增大,反型层靠近漏极部分变窄

＂没加Uds时,只在Ugs的作用下反型层应该是均匀分布的＂,确实是这样;MOS在用的时候,通常源和衬底接地,所以Ugs=Vg; 当Vds增大时,栅和漏之间电压为Ugs-Vds,电压变小,反型层自然变窄.

为什么在N沟增强型MOSFET中,加了UDS后,沟道宽度沿源漏方向减小

我昨晚想的是这个结果,不确定对不对.漏源间的电流相等,电流在微观上的解释中,正比与电子的速度.UDS产生的电场越靠近漏极,场强越大,所以速度越快.电流相等,推出,速度快的地方电子少.沟道就窄

为什么倒相器P管宽长比要比N管宽长比大

因为P沟道MOS管中的载流子是空穴,而N沟道MOS管的载流子是电子.与电子相比,空穴载流子体积大速度慢,也就相当于P管电阻率较大.P管与N管的沟道长度都是相同的,为了使P管的总电阻与N管的电阻基本相等,就必须加大P管的沟道宽度.因此在设计CMOS反相器版图时,P管的宽长比必须设计得比N管大一些.

电路分析,叠加原理的验证,实验报告中的思考题,求解答,谢谢!

实验一:实验课中已分析 实验二:实验课中已分析 实验三:预习思考题2:用指针式... 预习思考题5:提高品质因数q,r减小,l增大,c减小 预习思考题6:不相等,元件值以...

为什么随着mosfet特征尺寸不断减小,cmos集成电路工艺中需要引入金属栅,h - k和l - k介

因为尺寸减小引起漏电流增大(栅极控制能力减弱),短沟道效应出现,严重影响器件开关特性.所以出现高K介质(在薄的栅氧情况下,栅漏不会太大)

为什么晶体管(n沟道增强型mos)的vg超过vth,源极与漏极之间的基板就会形成薄导电层

这部分其实在模电书里面写得很清楚了,只是你要反复看书,这部分内容是需要悟出来的.当UGS从0开始,逐步增大(UGS〉0)的时候,G极会积聚正电荷,而S与衬底B其实是连在一起的,也就是负极,这时候,衬底里面的空穴(带正电)会被G排斥,逐步远离G极,这样在衬底(P区)里面就形成了以不能移动的负离子为主的耗尽层.当UGS增大后,耗尽层会逐步加宽,同时,由于电场力的吸引,衬底P区中的自由电子开始向G极移动,由于G极与衬底之间有SiO2的绝缘层,因此自由电子并不能达到G极,而是积聚在耗尽层与绝缘层之间,形成一个N型的薄层,也就是反型层(反型层与G极合起来看,类似一个平行板电容).

N沟道耗尽型MOS管,为什么uGS为正的时候沟道变宽,uGS为负的时候沟道变窄,求各位大神指点,谢

这个很简单.关键在于MOS管的结构和工作原理.你的不足在于,没有很好地理解MOS管的工作原理 N沟道管子,衬底是B,而且是P型半导体,B与源极S连在一起.当...

mos管的宽长比是什么

宽长比是 MOS 管的导电沟道的宽与长的比,宽长比越大,MOS 管的 Id 就越大,也就是宽长比与 Id 成正比.如果只是用来做驱动的话,根据负载能力确定宽长比.如果...

为什么加低电压,N沟道增强型MOS管截止

对增强型NMOS来说,他的衬底是P型的,源和漏是N型的,只有在栅上加一个足够的电压,使得器件沟道形成一个反型层(n)才能打开器件. 我们叫这个电压为阈值电压,当低于这个电压的时候,管子没有进入强反型,电流能力很弱,当太低的时候就截止了. 建议看看半导体物理,希望对你有帮助.