驱动MOS管的驱动电流怎样计算?

1. Q5为NMOS管,R12为限流电阻(或是偏置电阻),源漏之间的二极管为保护二极管.2. 源极接地,电压为0,当栅极(即图中右眼驱动1)的电压大于开启电压Vth(一.

请问:用图中的2个共漏极的NMOS管子如何接线驱动10v 350m.

如图一般是这样的,将蜂鸣器改成LED,VDD改成10即可,至于电流,放心,NMOS一般5A起步.你的比较特别,那就只能串在源极然后接地了.还有H桥的电路,不过那是一个PMOS和一个NMOS

如何计算场效应管的电流?

Id=gm*Vgs Id是漏极电流,gm是跨导,Vgs是栅源电压.

场效应管漏极电流(直流)ID,是什么条件下的电流?

看这个ID在什么场合下说了,静态ID是指没信号输入时的D极电流,最大ID是指最大不失真电流.说明书上的ID是说处于开关状态时的最大电流.

漏电流的计算公式是什么

l=c*v*0.02 这个是漏电流的公式.不知道你是不是要找这个 i=标称电压*标称容量*系数(0.01-0.03)

场效应管的漏极电流ID=( ),所以它是( )控制文件.

gmugs 电压 采纳哦

MOS管测量好坏时,漏极和源极有几百欧为正常,那它在电路中怎样实现关.

其实MOS主要是通过栅控制器件的开启和导通,所以以NMOS管为例,只需要将栅压降得足够低,让它在衬底中无法形成反型层,也就没有了沟道,没有低阻通路,自然就变成高阻态,从漏源两端看上去,它便是关断的

计算所示电路的电流I..求大神解答

采用叠加原理.首先计算5V电压源单独作用的I,此时电流源开路.I=5V/(2+3)=1A,方向向右;然后计算电流源单独作用的I, 此时,电压源短路.I=5A*3/(3+2)=3A,方向向左;最后叠加,I=2-3=-1A,也就是与你标注方向相反

Ib电流是怎么计算出来的?三极管分压偏置电路中

条件之一 Ib远小于偏置电流,并通过电路计算求出.先假设流入基极的电流为0,则可以用分压电阻法直接计算电流了,然后再再校验Ib.这就是近似计算法.当然,Ub在0.6v(硅管)或者0.4v(锗管)这时要考虑一下,总之,Ib在总电流的1/5以内就行.

电路分析一道网孔电流的法的题目,有图求大神指点

针对上图: “虚断”:指的是图中的电流:i1=0、i2=0. “虚短”:指的是图中两个节点1、2的电位相等,即u1=u2. 显然:u1=2v.所以:u2=2v. 设输出端a点电位为uo,因此:uo=3i. 注意上述中的u1、u2、uo都是指的该点电位,也就是该点与公共地之间的电压. 1ω电阻电流为:(uo-u2)/1=(3i-2),方向从a指向节点2; 2ω电阻电流:其两端电压就是u2,所以电流为:u2/2=2/2=1(a),方向向下. 由于i2=0,根据kcl:3i-2=1,i=1(a).