可控硅需要一个控制信号来实现通断,一般通过的电流都较大,为防止被控制部分损坏,一般要加一个电容,接通和断开的瞬间电压电流变化较大,会影响被控制部分正常工作加一个电容把瞬间的高压滤掉,电容的另一端一般是接地的.电阻一个作用是限流,另一个是实现一定的压降,可控硅出来的电压一般会高于被控制部分的工作电压.

R18,R33 跟IC5组成可控硅触发电路,两个电阻起限流作用,保护光耦及可控硅.R21、C7组成阻容吸收回路,可吸收瞬间的高电压,起到保护作用.你电路图画对了吗?一般不用直流光耦驱动的,都用交流输出的光耦驱动的.

阻容吸收电路,作用是减小可控硅两端电压的变化率,防止误导通. 可控硅从断开转换导通的最大阳极电压上升率称为断态电压临界上升率du/dt.如果可控硅两端电压的变化率太大,就会产生误导通. 原理:可控硅的结面积在阻断状态下相当于一个电容,若突然加一正向阳极电压, 便会有一个充电电流流过结面,该充电电流流经靠近阴极的PN结时,产生相当于触发电流的作用,如果这个电流过大,将会使元件误触发导通.

电容的选择: C=(2.5-5)*10的负8次方*If If=0.367Id Id-直流电流值 如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅) 可以计算C=(2.5-5)*10的负8次方*500=1.25-2.5mF 选用2.5mF,1kv 的电容器 电阻的选择: R=((2-4) *535)/If=2.14-8.56 选择10欧 PR=(1.5*(pfv*2πfc)的平方*10的负12次方*R)/2 Pfv=2u(1.5-2.0) u=三相电压的有效值

为了限制电路电压上升率过大,确保可控硅安全运行,常在可控硅两端并联RC阻容吸收网络,利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率.因为电路总是存在电感的变压器漏感或负载电感,所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用,它可以防止R、L、C电路在过渡过程中,因振荡在电容器两端出现的过电压损坏可控硅.同时,避免电容器通过可控硅放电电流过大,造成过电流而损坏可控硅. 由于可控硅过流过压能力很差,如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的.RC 阻容吸收网络就是常用的保护方法之一.

是阻容吸收元件.可控硅关断时,感性负载瞬时产生感应电压、对可控硅有击穿危险,利用阻容串联吸收这部分能量,可保电路工作安全.

可控硅简单地说就是晶闸管 顾名思义嘛就是像闸门一样控制电流 具体的说就是通过改变导通角的大小从而改变电流 单纯的电阻电路不需要加电容 但是要控制电感电路就要在可控硅后加电容 来吸收尖峰电压保护晶闸管不被烧坏

电阻和电容串联后与可控硅模块的并联,电阻和电容的作用就是为了抗干扰,对保护可控硅是没有作用的.

你说的电阻和电容,一般称为阻容吸收网络.一般在感性回路中,可控硅关断的瞬间,电感产生反电势,阻容网络提供续流回路,起到保护可控硅的作用.另外,当电网有突变时,阻容网络也可以吸收一部分尖峰,同样起到保护可控硅的作用.关断时,只要是交流电路,阻容网络会有电流流过.

C8R15 构成微分电路.可以把T1送来的脉冲信号(方波或是电位),转换为尖峰的短时脉为可控硅提供触发脉冲.