雪崩击穿到底能不能恢复?

二极管稳压管就是利用雪崩击穿和齐纳击穿来工作的,当加于稳压管两端电压撤除后,又自动恢复到击穿前的状态,就可反复使用.

稳压二极管 齐纳击穿时温度系数为负.雪崩击穿时温度系数为正.怎么解释温度与击穿电压的关系?为什么齐

稳压二极管的温度系数制造是稳压管的材料和工艺决定的.不好分析.

如何区别齐纳击穿和雪崩击穿

齐纳击穿一般是在重掺杂PN结内发生,击穿电压较小,低于5~6V;雪崩击穿一般是在轻掺杂PN结内发生,击穿电压较大,高于5~6V.原理介绍:齐纳击穿的原理:重掺杂的PN结由于隧道机制而发生齐纳击穿;在重掺杂的PN结内,反偏条件下结两侧的导带与价带离得非常近,以至于电子可以从P区的价带直接隧穿到N区的导带.雪崩击穿的原理:当电子(或空穴)穿过空间电荷区时,由于电场的作用,它们的能量会增加;当它们的能量大到一定程度并且与耗尽区的原子内的电子碰撞时,会产生新的电子空穴对,新的电子空穴对又会撞击其它原子内的电子,形成雪崩效应;这种击穿称为雪崩击穿.

雪崩二极管工作原理

在材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强.这样,通过空间电荷区的电子和空穴,就会在电场作用下获得的能量增大,在晶...

为什么二极管的雪崩击穿是正温度系数?

雪崩击穿是PN结反向电压增大到一数值时,载流子倍增就像雪崩一样,增加得多而快.PN电压高于5-6V的稳压管,雪崩击穿为主,稳压管的温度系数为正的特性

在制造半导体器件时,为什么先将导电性能介于导体和绝缘体之间的硅或者锗制成本征半导体,使之导电性极差

以下的半导体都是选Si来说的,它是四价元素,在此说明.1、先说明本征半导体是... 这样的半导体中,每个原子与其他原子都是通过共价键连接的,比较稳固,而且是平...

为什么掺杂浓度大的PN结很薄?

齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的pn结内.由于掺杂浓度很高,pn结很窄,这样即使施加较小的反向电压(5v以下),结层中的电场却很强(可达左右).在强电场作用下,会强行促使pn结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成＂电子一空穴对＂,从而产生大量的载流子.它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿.显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离. 采取适当的掺杂工艺,将硅pn结的雪崩击穿电压可控制在8~1000v.而齐纳击穿电压低于5v.在5~8v之间两种击穿可能同时发生

为什么空穴带正电

空穴又称电洞(Electron hole),在固体物理学中指共价键上流失一个电子,最后在共价键上留下空位的现像.即共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量,从而摆脱共价键的约束成为自由电子,同时在共价键上留下空位,我们称这些空位为空穴.一个呈电中性的原子,其正电质子和负电电子的数量是相等的.现在由于少了一个负电的电子,所以那里就会呈现出一个正电性的空位——电洞.当有外面一个电子进来掉进了电洞,就会发出电磁波——光子.其实简单的说就是因为原来一个共价键是不带电的,呈现电中性,丢失了一个电子后,由于电子带的是负电,且因为电荷守恒,空穴就呈现出正电性了.

高压汞灯在熄灭后为什么不能立即启动

高压汞灯的启动是需要灯内工作气体中的自由电子受到两个电极之间的电场定向驱动并产生雪崩放电,才能达到正常工作状态.刚刚熄灭的时候灯芯内的工作气体温度太高,气压太高,自由电子移动困难,无法发生后续启动过程.一般情况下只需等灯泡自然冷却一段时间(~1min或更高,依赖灯泡类型),重新启动即可.

为什么称空穴是载流子?在空穴导电时,电子运动吗?

空穴其实是对p型半导体导电方式的一种形象化描述,是电子运动的结果,不存在空穴这种实际物体,当电子从原来的位置离开后,相应区域内便显正电,吸引其他电子填补这个正电区,当另一个电子离开原来的位置填补这个正电区后又形成了新的空穴,这就好比空穴移动了,实际上是电子的移动导致空穴的移动,于是空穴的移动也可以反映电子的移动,故称空穴为载流子.空穴导电时,电子会移动.