MOS管当电子开关使用中的疑问？
第一个图你的理解是没有问题的。但是第二个图有严重问题。你可能认为给一个高电平，三极管输出高电平（约12V），MOS管导通。但是假如三极管导通，从三极管输出的电压比IO口电压还要小一个导通压降0.7v。另外发射结要经过一个电阻接地，不然12v和地就短路了。
关于场效应管作开关使用时的问题
这个开关接通后，不一定关得断，因为开关通，栅极为高电平，场效应管导通，开关切断，却没有低电压（或者0电压）加到栅极上，由于栅极存在电容，且绝缘栅根本不漏电，会维持刚才的高电平，管子继续导通！
请在栅极对地接一个电阻，要求的开关速度越快，这个电阻应该越小（kΩ？）。至于原来与5V电源串联的R却未必需要，完全可以短路掉。
场效应管作开关用时的问题
G端需要输入26V才能让管子的源极输出24V，那肯定是山寨货！IRF640的VG S最高才20V
其实楼主要求的工作电压不高，可选VDSS低的管。
下面介绍两种：
1、RFG50N06, RFP50N06, RF1S50N06SM
50A, 60V
• rDS(ON) = 0.022W
2、IRLR/U2905
VDSS = 55V
RDS(on) = 0.027W
ID = 42A
请教：MOS管做开关电路
MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。
MOS管也是三端压控元件，三端分别是G、D、S，可以等效于普通三极管的B、C、E三极，VGS的电压（=VG-VS）控制Mos 开关状态:
当VGS大于Von（开启电压，NMOS为2~4V，PMOS为-2~-4V）时就使得Mos打开，D& S两极之间导通，压降为零，阻抗较小，零点几欧姆；
同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态，D& S两极之间阻抗很大；
所以，G极就是控制极；
要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值为4V，可是击穿电压为正负20V；又比如IRF9530，开启电压为最大-4V，也就是说Vgs=-5V时已经打开，开启电压上限也为正负20V，当Vgs=-21V或者22V时，管子会被击穿。通常使用时，可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。